NE8500295-6 datasheet
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>> NE8500295-6 射频GaAs晶体管 2W C Band MESFET datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
NE8500295-6
库存数量:
可订货
制造商:
NEC/CEL
描述:
射频GaAs晶体管 2W C Band MESFET
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> 射频GaAs晶体管
描述
射频GaAs晶体管 2W C Band MESFET
NE8500295-6 PDF下载
制造商
NEC/CEL
技术类型
MESFET
频率
5.5 GHz to 6.5 GHz
增益
9.5 dB
噪声系数
正向跨导 gFS(最大值/最小值)
600 mS
漏源电压 VDS
15 V
闸/源击穿电压
- 12 V
漏极连续电流
1.9 A
最大工作温度
+ 175 C
功率耗散
13 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
CHIP
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属性
链接
代理商
NE8500295-6
NE8500295-8
NE850R599A
NE851M03
NE851M03-A
NE851M03-T1
供应商
公司名
电话
深圳市诚达吉电子有限公司
13480615819
莫小姐
深圳市英科美电子有限公司
0755-23903058
张先生
深圳市盛芯世纪科技有限公司
0755-83979915
杨先生,www.dz-ic.cn
深圳市琦凌凯科技有限公司
13316482149
彭先生
深圳市众芯微电子有限公司
0755-83208010
陈小姐
深圳市毅创辉电子科技有限公司
19129491434(微信同号)
刘春兰
NE8500295-6 参考价格
价格分段
单价(美元)
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